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发布日期:2025-02-18 11:48    点击次数:99

三星工艺天然在性能、能效上耐久差少量,然则IOD并不需要太先进的工艺,功耗也不高

快科技2月14日讯息,AMD也曾在积极鼓舞下一代Zen6架构居品,包括耗尽级和数据中心,其中CCD部分的工艺有两种说法,一是台积电N3 3nm级别,另一种是台积电N2 2nm级别。

当今,Zen5眷属的锐龙9000系列的IOD部分为台积电4nm,CCD部分则是6nm,后者透彻接续了锐龙7000系列的酌量。

EPYC 9005系列的IOD部分则是4nm(Zen5)和3nm(Zen5c),IOD部分和锐龙雷同齐是6nm,二者在很猛进度上亦然换取的。

那么,下一代Zen6会搭配什么样的IOD呢?

无须台积电!AMD Zen6 IOD模块初次引入三星4nm

之前的说法是升级到台积电4nm,着实地说是N4P,但最新讯息裸露,杠杆炒股Zen6 IOD制造切换到三星了,但如故4nm级别,着实地说是4LPP,粗略叫SF4。

三星工艺天然在性能、能效上耐久差少量,然则IOD并不需要太先进的工艺,功耗也不高。

而三星4LPP 2022年就量产了,也曾超越进修,这也意味着资本会超越低,况兼它等于个低功耗工艺节点,刚巧适动作念IOD。

贵府裸露,三星L4PP的晶体管密度为每遍及毫米1.37亿个,基本和台积电N5超越,只比台积电N4P低梗概5%,同期高于Intel 4 11%之多,自身素质如故可以的。

无须台积电!AMD Zen6 IOD模块初次引入三星4nm






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